RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Сравнить
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB против Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB
Средняя оценка
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
41
74
Около 45% меньшая задержка
Выше скорость чтения
14.3
13.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.4
7.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
41
74
Скорость чтения, Гб/сек
14.3
13.6
Скорость записи, Гб/сек
9.4
7.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2142
1616
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB Сравнения RAM
SK Hynix HMT351U6CFR8C-PB 4GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston ACR32D4S2S1ME-8 8GB
Kingston ACR26D4S9S8ME-8 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3000C15 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Corsair CMK64GX4M2D3000C16 32GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
AMD R538G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Kingston 9905711-015.A00G 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
SK Hynix HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Mushkin 99[2/7/4]192F 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Corsair CMD32GX4M2C3466C16W 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link