RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB
Сравнить
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB против G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
28
Около 11% меньшая задержка
Причины выбрать
G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.1
12.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.0
8.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
25
28
Скорость чтения, Гб/сек
12.1
16.1
Скорость записи, Гб/сек
8.6
12.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 14 15
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2045
3010
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB Сравнения RAM
Swissbit SLN04G64E1BQ2SA-DC 4GB
Kingston 9905471-030.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMK16GX4M2F4500C19 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMW64GX4M2D3000C16 32GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRS 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDZS 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMU32GX4M2C3000C15 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FE 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology BLE8G4D40BEEAK.M8FE1 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRR 4GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Corsair CMK32GX4M4A2666C15 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3000C15 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link