RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Сравнить
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB против OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Средняя оценка
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
27
Около 7% меньшая задержка
Причины выбрать
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.4
12.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.5
8.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
10600
Около 2.42 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
25
27
Скорость чтения, Гб/сек
12.1
17.4
Скорость записи, Гб/сек
8.6
14.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
25600
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2045
3692
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB Сравнения RAM
Swissbit SLN04G64E1BQ2SA-DC 4GB
Kingston 9905471-030.A00LF 8GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMV32GX4M1A2666C18 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905702-002.A00G 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Wilk Elektronik S.A. W-HK26S16G 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M16FE 16GB
Elpida EBJ40UG8BBU0-GN-F 4GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston 9905702-002.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston 99U5678-029.A00G 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2SU416R 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVB 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FB 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMW16GX4M2C3600C18 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Mushkin 99[2/7/4]208F 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GVR 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FADP 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link