RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Сравнить
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB против OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Средняя оценка
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
39
Около 36% меньшая задержка
Причины выбрать
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.1
12.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.6
8.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
10600
Около 2.42 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
25
39
Скорость чтения, Гб/сек
12.1
15.1
Скорость записи, Гб/сек
8.6
12.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
25600
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2045
3000
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB Сравнения RAM
Swissbit SLN04G64E1BQ2SA-DC 4GB
Kingston 9905471-030.A00LF 8GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FD2 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FP 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Corsair CMK8GX4M2C3000C16 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FB 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Hewlett-Packard 7EH74AA#ABC 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Ramaxel Technology RMUA5090KE68H9F2133 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CMR128GX4M8X3800C19 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Corsair CMW16GX4M2Z3600C18 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston 9905701-017.A00G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link