RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Сравнить
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB против Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Средняя оценка
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
32
Около 22% меньшая задержка
Причины выбрать
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.9
12.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.9
8.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
25
32
Скорость чтения, Гб/сек
12.1
15.9
Скорость записи, Гб/сек
8.6
11.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2045
2831
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB Сравнения RAM
Swissbit SLN04G64E1BQ2SA-DC 4GB
Kingston 9905471-030.A00LF 8GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB Сравнения RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FA 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GNT 8GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB528528266
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTZRC 8GB
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GTZR 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFT 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Corsair CMT32GX4M2D3600C18 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Apacer Technology 78.CAGSZ.4070B 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston KF3200C18D4/8G 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
UMAX Technology D4-2400-4GB-512X8-L 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXK 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB76H8F2400 2GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link