Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB против Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBD2 4GB

-->

Средняя оценка

Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB

Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB

Средняя оценка

Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBD2 4GB

Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBD2 4GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB

Причины выбрать
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB

Сообщить об ошибке

Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBD2 4GB

Причины выбрать
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBD2 4GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

21 41

Около -95% меньшая задержка
Выше скорость чтения

17.9 13.9

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

13.7 9.7

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

21300 12800

Около 1.66 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB

Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBD2 4GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

41 21
Скорость чтения, Гб/сек

13.9 17.9
Скорость записи, Гб/сек

9.7 13.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек

12800 21300

Other

Описание

PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота

9-9-9-24 / 1600 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2366 2950

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB

Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB

Corsair CMK16GX4M2K4000C19 8GB

Corsair CMK16GX4M2K4000C19 8GB

модули RAM

Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB

Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB

Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3733 8GB

Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3733 8GB

модули RAM

Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB

Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB

Golden Empire CL15-17-17 D4-2666 8GB

Golden Empire CL15-17-17 D4-2666 8GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB

Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB

Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBD2 4GB

Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBD2 4GB

модули RAM

Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB

Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB

EVGA 16G-D4-2800-MR 4GB

EVGA 16G-D4-2800-MR 4GB

модули RAM

Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB

Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB

Kingston KHX2400C15D4/4G 4GB

Kingston KHX2400C15D4/4G 4GB

модули RAM

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB

Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB

модули RAM

Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB

Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB

Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17S/8G 8GB

Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17S/8G 8GB

модули RAM

Kingston 99U5402-464.A00LF 4GB

Kingston 99U5402-464.A00LF 4GB

Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB

Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB

модули RAM

Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB

Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB

Kingston 9965604-033.D00G 16GB

Kingston 9965604-033.D00G 16GB

модули RAM

Kingston HP698651-154-MCN 8GB

Kingston HP698651-154-MCN 8GB

SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TF 8GB

SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TF 8GB

модули RAM

Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB

Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB

Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB

Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB

модули RAM

Avant Technology F6451U64F9333G 4GB

Avant Technology F6451U64F9333G 4GB

Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB

Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB

модули RAM

Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB

Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB

Avant Technology W642GU44J2320NC 16GB

Avant Technology W642GU44J2320NC 16GB

модули RAM