Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB против G Skill Intl F4-2133C15-4GVK 4GB

-->

Средняя оценка

Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB

Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB

Средняя оценка

G Skill Intl F4-2133C15-4GVK 4GB

G Skill Intl F4-2133C15-4GVK 4GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB

Причины выбрать
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB

Сообщить об ошибке

G Skill Intl F4-2133C15-4GVK 4GB

Причины выбрать
G Skill Intl F4-2133C15-4GVK 4GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

23 41

Около -78% меньшая задержка
Выше скорость чтения

16.2 13.9

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

11.9 9.7

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

17000 12800

Около 1.33 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB

G Skill Intl F4-2133C15-4GVK 4GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

41 23
Скорость чтения, Гб/сек

13.9 16.2
Скорость записи, Гб/сек

9.7 11.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек

12800 17000

Other

Описание

PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота

9-9-9-24 / 1600 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2366 2579

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB

G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB

Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB

Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB

модули RAM

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Kingston HP26D4U9S8ME-8X 8GB

Kingston HP26D4U9S8ME-8X 8GB

модули RAM

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB

Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB

Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB

модули RAM

Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB

Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB

Colorful Technology Ltd BAPC08G2666D4S8 8GB

Colorful Technology Ltd BAPC08G2666D4S8 8GB

модули RAM

Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB

Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB

Kingston XJV223-MIE-NX 16GB

Kingston XJV223-MIE-NX 16GB

модули RAM

G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB

G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB

Kingston MSI24D4U7S8MB-8 8GB

Kingston MSI24D4U7S8MB-8 8GB

модули RAM

Team Group Inc. UD5-6400 16GB

Team Group Inc. UD5-6400 16GB

Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB

Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB

модули RAM

Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB

Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB

Kingston 99U5625-015.A00G 16GB

Kingston 99U5625-015.A00G 16GB

модули RAM

Kingston 9965525-140.A00LF 8GB

Kingston 9965525-140.A00LF 8GB

G Skill Intl F4-2400C17-8GNT 8GB

G Skill Intl F4-2400C17-8GNT 8GB

модули RAM

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Corsair CMD32GX4M4A2400C12 8GB

Corsair CMD32GX4M4A2400C12 8GB

модули RAM

Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB

Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB

G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSK 16GB

G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSK 16GB

модули RAM

Kingston 9905403-174.A00LF 2GB

Kingston 9905403-174.A00LF 2GB

Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB

Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB

модули RAM

Kingston 99U5471-025.A00LF 4GB

Kingston 99U5471-025.A00LF 4GB

Corsair CMK8GX4M2A2400C16 4GB

Corsair CMK8GX4M2A2400C16 4GB

модули RAM

Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB

Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB

Corsair CMD16GX4M2E4000C19 8GB

Corsair CMD16GX4M2E4000C19 8GB

модули RAM