RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Сравнить
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB против Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
Средняя оценка
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
33
42
Около -27% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.1
14.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.0
10.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
21300
Около 1.2 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
42
33
Скорость чтения, Гб/сек
14.7
16.1
Скорость записи, Гб/сек
10.8
13.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
21300
25600
Other
Описание
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Тайминги / частота
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2476
2987
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB Сравнения RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESCK.M8FE 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
SK Hynix HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Corsair CMK64GX4M4C3200C16 16GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMR64GX4M8C3000C15 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Apacer Technology 76.C102G.D170B 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2400 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CM4X4GF2400C16K4 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston 9905599-029.A00G 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston KHX3200C20S4/32GX 32GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link