RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
Сравнить
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB против Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
-->
Средняя оценка
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Средняя оценка
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
65
Около -132% меньшая задержка
Выше скорость чтения
19.1
6.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
16.2
4.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
8500
Около 2.51 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
65
28
Скорость чтения, Гб/сек
6.1
19.1
Скорость записи, Гб/сек
4.2
16.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
8500
21300
Other
Описание
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 13 14 15 16 17 18 19
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
985
3562
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB Сравнения RAM
Corsair CM3X1G1600C9 1GB
Corsair CM4X8GF2666C16K8 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB Сравнения RAM
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Apacer Technology 76.D305G.D060B 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16G
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FE 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180Z 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Corsair CMW32GX4M4C3600C18 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston 9905622-055.A00G 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMR32GX4M4D3200C16 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FH 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FA 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link