Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB

Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB

-->

Средняя оценка

Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB

Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB

Средняя оценка

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB

Причины выбрать
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

26 36

Около 28% меньшая задержка
Выше скорость чтения

13.9 9.3

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

9.6 7.0

Среднее значение в тестах

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB

Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB

Сообщить об ошибке

Выше пропускная способность

19200 14200

Около 1.35 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

26 36
Скорость чтения, Гб/сек

13.9 9.3
Скорость записи, Гб/сек

9.6 7.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек

14200 19200

Other

Описание

PC3-14200, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота

no data 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2558 1891

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB

Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB

Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB

Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB

модули RAM

Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB

Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB

Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB

Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB

модули RAM

Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB

Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB

Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB

Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264BA160BJ.C8F 4GB

Crucial Technology CT51264BA160BJ.C8F 4GB

AMD R534G1601U1S 4GB

AMD R534G1601U1S 4GB

модули RAM

Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB

Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB

Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB

Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB

модули RAM

Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB

Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB

Corsair CMD32GX4M4C3200C14T 8GB

Corsair CMD32GX4M4C3200C14T 8GB

модули RAM

Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB

Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB

G Skill Intl F4-3600C14-16GTZRA 16GB

G Skill Intl F4-3600C14-16GTZRA 16GB

модули RAM

SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB

SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB

Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB

Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB

модули RAM

Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB

Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB

G Skill Intl F4-3600C18-8GTRS 8GB

G Skill Intl F4-3600C18-8GTRS 8GB

модули RAM

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

G Skill Intl F4-3000C15-4GRR 4GB

G Skill Intl F4-3000C15-4GRR 4GB

модули RAM

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Kingmax Semiconductor GSAH22F-18---------- 16GB

Kingmax Semiconductor GSAH22F-18---------- 16GB

модули RAM

Kingston 9905702-010.A00G 8GB

Kingston 9905702-010.A00G 8GB

Corsair CMD16GX4M2C3333C16 8GB

Corsair CMD16GX4M2C3333C16 8GB

модули RAM

Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB

Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB

Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FJ 8GB

Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FJ 8GB

модули RAM

Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB

Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB

Crucial Technology BLM8G44C19U4B.M8FE1 8GB

Crucial Technology BLM8G44C19U4B.M8FE1 8GB

модули RAM