Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB против Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB

-->

Средняя оценка

Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB

Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB

Средняя оценка

Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB

Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB

Причины выбрать
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

26 41

Около 37% меньшая задержка
Выше скорость чтения

13.9 11.1

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

9.6 8.2

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

14200 10600

Около 1.34% выше полоса пропускания

Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB

Причины выбрать
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB

Сообщить об ошибке

Спецификации

Полный список технических характеристик

Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB

Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR3
Задержка в PassMark, нс

26 41
Скорость чтения, Гб/сек

13.9 11.1
Скорость записи, Гб/сек

9.6 8.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек

14200 10600

Other

Описание

PC3-14200, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13 PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
Тайминги / частота

no data 7-7-7-20 / 1333 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2558 1348

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240

A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB

A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB

модули RAM

A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB

A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB

Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMZ 8GB

Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMZ 8GB

модули RAM

Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB

Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB

Kingston 9905630-031.A00G 16GB

Kingston 9905630-031.A00G 16GB

модули RAM

SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB

SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB

Essencore Limited IM44GU48A30-FGGHAB 4GB

Essencore Limited IM44GU48A30-FGGHAB 4GB

модули RAM

Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB

Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB

Corsair CMU32GX4M2C3000C15 16GB

Corsair CMU32GX4M2C3000C15 16GB

модули RAM

Kingston 9905403-447.A00LF 4GB

Kingston 9905403-447.A00LF 4GB

InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB

InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

Crucial Technology CB8GS2400.C8ET 8GB

Crucial Technology CB8GS2400.C8ET 8GB

модули RAM

G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB

G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB

Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FARG 8GB

Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FARG 8GB

модули RAM

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

SK Hynix HMA82GU6CJR8N-XN 16GB

SK Hynix HMA82GU6CJR8N-XN 16GB

модули RAM

Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB

Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB

Crucial Technology M471B1G73DB0-YK0 8GB

Crucial Technology M471B1G73DB0-YK0 8GB

модули RAM

Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB

Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB

G Skill Intl F4-2133C15-8GRB 8GB

G Skill Intl F4-2133C15-8GRB 8GB

модули RAM

Peak Electronics 256X64M-67E 2GB

Peak Electronics 256X64M-67E 2GB

Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA 8GB

Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA 8GB

модули RAM

Kingston 9905403-444.A00LF 4GB

Kingston 9905403-444.A00LF 4GB

A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB

A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB

модули RAM

Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB

Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB

Corsair CMW64GX4M4E3200C16 16GB

Corsair CMW64GX4M4E3200C16 16GB

модули RAM