RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
Сравнить
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB против G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
-->
Средняя оценка
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
44
Около -63% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.3
13.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
17.7
9.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
44
27
Скорость чтения, Гб/сек
13.2
18.3
Скорость записи, Гб/сек
9.1
17.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2302
3956
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB Сравнения RAM
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Elpida EBJ81UG8EFU0-GNL-F 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Apacer Technology 78.C1GMW.AUC0B 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston 9905624-013.A00G 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZN 32GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FE 4GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213382 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Apacer Technology 76.D305G.D390B 16GB
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
Kingston 9905630-066.A00G 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
INTENSO 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston 9905625-030.A00G 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link