RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GVR 4GB
Сравнить
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB против G Skill Intl F4-2800C16-4GVR 4GB
-->
Средняя оценка
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-2800C16-4GVR 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
52
67
Около 22% меньшая задержка
Выше скорость чтения
4
15.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-2800C16-4GVR 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
8.3
1,479.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GVR 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
52
67
Скорость чтения, Гб/сек
4,226.4
15.9
Скорость записи, Гб/сек
1,479.2
8.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
590
1850
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB Сравнения RAM
G Skill Intl F2-5300PHU1-1GBSA 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FHP 8GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GVR 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZR 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRBB 4GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213382 4GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Kingston KHX2133C14S4/8G 8GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FB 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMW128GX4M8C3200C16 16GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Kingston 99U5663-006.A00G 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZR 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMR32GX4M4C3000C16 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRK 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston KHX4800C19D4/8GX 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Kingston 9905598-044.A00G 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Maxsun MSD48G32Q3 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link