RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Сравнить
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
-->
Средняя оценка
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
17.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
52
Около -100% меньшая задержка
Выше скорость записи
14.0
1,479.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
5300
Около 4.02 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
52
26
Скорость чтения, Гб/сек
4,226.4
17.7
Скорость записи, Гб/сек
1,479.2
14.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
21300
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
590
3017
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB Сравнения RAM
G Skill Intl F2-5300PHU1-1GBSA 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FHP 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N-VK 8GB Сравнения RAM
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingmax Semiconductor GLLH23F-18KIIP------ 16GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GVKC 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FD1 16GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GVR 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESCK.M8FE 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Corsair CMK32GX4M2C3333C16 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160T 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kllisre M378A5143EB2-CRC 4GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link