G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB против InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB

-->

Средняя оценка

G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB

G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB

Средняя оценка

InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB

InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB

Причины выбрать
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

4 16

Среднее значение в тестах

InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB

Причины выбрать
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

32 52

Около -63% меньшая задержка
Выше скорость записи

10.5 1,479.2

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

19200 5300

Около 3.62 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB

InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

52 32
Скорость чтения, Гб/сек

4,226.4 16.0
Скорость записи, Гб/сек

1,479.2 10.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек

5300 19200

Other

Описание

PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота

5-5-5-15 / 667 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

590 2714

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB

SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB

Smart Modular SMS4TDC8C1K0446FCG 8GB

Smart Modular SMS4TDC8C1K0446FCG 8GB

модули RAM

G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB

G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB

InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB

InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB

модули RAM

G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB

G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB

InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB

InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB

модули RAM

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

Kingmax Semiconductor GLLG42F-DA---------- 8GB

Kingmax Semiconductor GLLG42F-DA---------- 8GB

модули RAM

Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB

Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FE 8GB

Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FE 8GB

модули RAM

Kingston 9905469-143.A00LF 4GB

Kingston 9905469-143.A00LF 4GB

Corsair CMD16GX4M4B3000C15 4GB

Corsair CMD16GX4M4B3000C15 4GB

модули RAM

Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB

Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB

Apacer Technology 76.D305G.D390B 16GB

Apacer Technology 76.D305G.D390B 16GB

модули RAM

Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB

Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB

G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKY 16GB

G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKY 16GB

модули RAM

A-DATA Technology DDR4 2666 8GB

A-DATA Technology DDR4 2666 8GB

AMD R744G2606U1S 4GB

AMD R744G2606U1S 4GB

модули RAM

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FG 4GB

Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FG 4GB

модули RAM

SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB

SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB

Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB

Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB

модули RAM

Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB

Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB

Kingston KHX3200C18D4/4G 4GB

Kingston KHX3200C18D4/4G 4GB

модули RAM

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Apacer Technology 78.B1GM3.C7W0B 4GB

Apacer Technology 78.B1GM3.C7W0B 4GB

модули RAM

Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB

Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB

Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB

Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB

модули RAM