G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB против Corsair CMD32GX4M4B3866C18 8GB

-->

Средняя оценка

G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB

G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB

Средняя оценка

Corsair CMD32GX4M4B3866C18 8GB

Corsair CMD32GX4M4B3866C18 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB

Причины выбрать
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

6 21.1

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

2,935.8 16.9

Среднее значение в тестах

Corsair CMD32GX4M4B3866C18 8GB

Причины выбрать
Corsair CMD32GX4M4B3866C18 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

18 45

Около -150% меньшая задержка
Выше пропускная способность

17000 6400

Около 2.66 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB

Corsair CMD32GX4M4B3866C18 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

45 18
Скорость чтения, Гб/сек

6,336.8 21.1
Скорость записи, Гб/сек

2,935.8 16.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек

6400 17000

Other

Описание

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота

5-5-5-15 / 800 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

1144 3971

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB

Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB

модули RAM

Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB

Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB

G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB

G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB

модули RAM

Kingston HP669238-071-HYC 4GB

Kingston HP669238-071-HYC 4GB

Kingston CBD32D4S2S1ME-8 8GB

Kingston CBD32D4S2S1ME-8 8GB

модули RAM

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Corsair CM4X4GF2400C16K4 4GB

Corsair CM4X4GF2400C16K4 4GB

модули RAM

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

G Skill Intl F4-2666C19-16GRS 16GB

G Skill Intl F4-2666C19-16GRS 16GB

модули RAM

Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB

Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB

Essencore Limited IM44GU48N21-FFFHM 4GB

Essencore Limited IM44GU48N21-FFFHM 4GB

модули RAM

A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB

A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB

Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3D1 32GB

Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3D1 32GB

модули RAM

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FBD 8GB

Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FBD 8GB

модули RAM

G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB

G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB

G Skill Intl F4-3000C14-16GTZ 16GB

G Skill Intl F4-3000C14-16GTZ 16GB

модули RAM

Kingston K531R8-ETB 4GB

Kingston K531R8-ETB 4GB

Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB

Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB

модули RAM

Kingston 9965516-112.A00LF 16GB

Kingston 9965516-112.A00LF 16GB

GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G32 8GB

GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G32 8GB

модули RAM

ASint Technology SSZ3128M8-EDJ1F 2GB

ASint Technology SSZ3128M8-EDJ1F 2GB

Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB

Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB

модули RAM

Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB

Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB

Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB

Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB

модули RAM

Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB

Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB

G Skill Intl F4-4000C16-16GTRSA 16GB

G Skill Intl F4-4000C16-16GTRSA 16GB

модули RAM