RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB
Сравнить
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB против Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB
-->
Средняя оценка
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
45
50
Около 10% меньшая задержка
Выше скорость чтения
6
13.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
8.5
2,935.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
45
50
Скорость чтения, Гб/сек
6,336.8
13.5
Скорость записи, Гб/сек
2,935.8
8.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1144
2424
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB Сравнения RAM
OCZ OCZ2T8001G 1GB
Micron Technology 9HTF6472FY-667B4D3 512MB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZR 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Panram International Corporation PUD42400C154G4NJK 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CM4X16GC3200C16K2 16GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C14 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GVKB 16GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVR 8GB
Kingston 99P5471-024.A00LF 4GB
Kingston 99P5474-037.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-3200 16GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Kingston KHX21334D4/8G 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMH32GX4M4E3200C16 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link