RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
Сравнить
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB против Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
-->
Средняя оценка
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
6
12
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
45
Около -88% меньшая задержка
Выше скорость записи
6.6
2,935.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
45
24
Скорость чтения, Гб/сек
6,336.8
12.0
Скорость записи, Гб/сек
2,935.8
6.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1144
1433
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB Сравнения RAM
OCZ OCZ2T8001G 1GB
Micron Technology 9HTF6472FY-667B4D3 512MB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB Сравнения RAM
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Apacer Technology 78.CAGP7.DFW0C 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZ 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD2 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston KHX2400C1C14/16G 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Panram International Corporation W4U2400PS-8G 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM32G 32GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C14 4GB
Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB
Samsung M471A2K43BB1-CPB 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FBD 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Kingston 99U5315-023.A00LF 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 4GB 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link