RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB
Сравнить
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB
-->
Средняя оценка
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
6
14.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,935.8
11.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
45
Около -61% меньшая задержка
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
45
28
Скорость чтения, Гб/сек
6,336.8
14.3
Скорость записи, Гб/сек
2,935.8
11.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1144
2481
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB Сравнения RAM
OCZ OCZ2T8001G 1GB
Micron Technology 9HTF6472FY-667B4D3 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB Сравнения RAM
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 99U5458-002.A00LF 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002 32GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Corsair CMU64GX4M4D3000C16 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Smart Modular SF4642G8CK8I8HLSBG 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FF 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Apacer Technology 78.C2GFA.AF30B 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681S 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFT 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMD8GX4M2B3000C15 4GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.C7C0B 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Crucial Technology BL8G36C16U4WL.M8FE1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link