RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Сравнить
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB против Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
-->
Средняя оценка
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Средняя оценка
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
45
47
Около 4% меньшая задержка
Выше скорость чтения
6
10
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
7.5
2,935.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
45
47
Скорость чтения, Гб/сек
6,336.8
10.0
Скорость записи, Гб/сек
2,935.8
7.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1144
2308
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB Сравнения RAM
OCZ OCZ2T8001G 1GB
Micron Technology 9HTF6472FY-667B4D3 512MB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Corsair CM4B16G7L2666A16K2-O 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6D1 16GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Kingston 9905625-076.A00G 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKBN 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVK 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Essencore Limited IM48GU48N28-GGGHM 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3B1 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston 9965589-024.D01G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston CBD24D4S7D8MA-16 16GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZN 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMWB8G1L3200K16W4 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link