G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB против Samsung M471A2K43CB1-CTCT 16GB

-->

Средняя оценка

G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB

G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB

Средняя оценка

Samsung M471A2K43CB1-CTCT 16GB

Samsung M471A2K43CB1-CTCT 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB

Причины выбрать
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

6 15.9

Среднее значение в тестах

Samsung M471A2K43CB1-CTCT 16GB

Причины выбрать
Samsung M471A2K43CB1-CTCT 16GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

32 45

Около -41% меньшая задержка
Выше скорость записи

7.9 2,935.8

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

21300 6400

Около 3.33 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB

Samsung M471A2K43CB1-CTCT 16GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

45 32
Скорость чтения, Гб/сек

6,336.8 15.9
Скорость записи, Гб/сек

2,935.8 7.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек

6400 21300

Other

Описание

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота

5-5-5-15 / 800 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

1144 2322

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB

G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB

Samsung M471A2K43CB1-CTCT 16GB

Samsung M471A2K43CB1-CTCT 16GB

модули RAM

Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB

Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB

Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE 16GB

Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE 16GB

модули RAM

Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB

Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB

G Skill Intl F4-3000C15-4GRK 4GB

G Skill Intl F4-3000C15-4GRK 4GB

модули RAM

Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB

Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB

A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB

A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240

Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M16FE 16GB

Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M16FE 16GB

модули RAM

G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB

G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB

Samsung M471A2K43CBCBCRC 16GB

Samsung M471A2K43CBCBCRC 16GB

модули RAM

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB

Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB

модули RAM

Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FD1 8GB

Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FD1 8GB

Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB

Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB

модули RAM

SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB

SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB

Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FJ 16GB

Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FJ 16GB

модули RAM

Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB

Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB

Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB

Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB

модули RAM

Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB

Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB

Avant Technology J644GU44J2320NF 32GB

Avant Technology J644GU44J2320NF 32GB

модули RAM

Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB

Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB

Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB

Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB

модули RAM

Team Group Inc. Team-Value-800 2GB

Team Group Inc. Team-Value-800 2GB

Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FE 4GB

Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FE 4GB

модули RAM

Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB

Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB

G Skill Intl F4-2400C16-8GRS 8GB

G Skill Intl F4-2400C16-8GRS 8GB

модули RAM