RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Сравнить
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB против Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
-->
Средняя оценка
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Средняя оценка
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
6
20.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,935.8
15.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
31
45
Около -45% меньшая задержка
Выше пропускная способность
25600
6400
Около 4 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
45
31
Скорость чтения, Гб/сек
6,336.8
20.5
Скорость записи, Гб/сек
2,935.8
15.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
25600
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1144
3649
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB Сравнения RAM
OCZ OCZ2T8001G 1GB
Micron Technology 9HTF6472FY-667B4D3 512MB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Essencore Limited KD4AGS88C-26N1900 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FA 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Apacer Technology 78.C2GFA.AF30B 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRR 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Kingston 9965745-002.A00G 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Kingston KHX2666C13/16GX 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMK64GX4M4D3600C18 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Kingston ACR32D4U2S1ME-8 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FN 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston KV0M5R-MIE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4WL.M8FE1 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Essencore Limited IM44GU48A30-FGGHAB 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link