RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB
Сравнить
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB против A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB
-->
Средняя оценка
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Средняя оценка
A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
35
Около 26% меньшая задержка
Причины выбрать
A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.9
13.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.6
8.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
10600
Около 2.42 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
26
35
Скорость чтения, Гб/сек
13.2
16.9
Скорость записи, Гб/сек
8.4
9.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
25600
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 22 24
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2070
2607
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB Сравнения RAM
A-DATA Technology DDR3L 1600G 4GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Apacer Technology D12.2324WT.001 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRS 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FB 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZC 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GVK 4GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Corsair CMK32GX4M2Z2400C16 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Mushkin 99[2/7/4]209F 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 8GB 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMD64GX4M4B3333C16 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GRS 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link