G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB против A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB

-->

Средняя оценка

G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB

G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB

Средняя оценка

A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB

A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB

Причины выбрать
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

26 49

Около 47% меньшая задержка

A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB

Причины выбрать
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

15.8 13.2

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

11.5 8.4

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

25600 10600

Около 2.42 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB

A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

26 49
Скорость чтения, Гб/сек

13.2 15.8
Скорость записи, Гб/сек

8.4 11.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек

10600 25600

Other

Описание

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Тайминги / частота

7-7-7-20 / 1333 MHz 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2070 2673

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB

G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB

A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB

A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB

модули RAM

Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB

Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB

Corsair CMD8GX4M2B3600C18 4GB

Corsair CMD8GX4M2B3600C18 4GB

модули RAM

SK Hynix HMT41GS6MFR8C-PB 8GB

SK Hynix HMT41GS6MFR8C-PB 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8A-PB 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8A

модули RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Kingston 9905663-007.A00G 16GB

Kingston 9905663-007.A00G 16GB

модули RAM

SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB

SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB

Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB

Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB

модули RAM

Kingston 9905403-444.A00LF 4GB

Kingston 9905403-444.A00LF 4GB

G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB

G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB

модули RAM

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB

модули RAM

Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB

Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB

UMAX Technology D4-3200-16G-1024X8-L 16GB

UMAX Technology D4-3200-16G-1024X8-L 16GB

модули RAM

Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB

Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB

Corsair CM4X16GE2400C16K4 16GB

Corsair CM4X16GE2400C16K4 16GB

модули RAM

Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB

Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB

Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE 8GB

Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE 8GB

модули RAM

Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB

Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB

G Skill Intl F4-4000C19-16GTRS 16GB

G Skill Intl F4-4000C19-16GTRS 16GB

модули RAM

Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB

Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB

Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FB 8GB

Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FB 8GB

модули RAM

Kingston KF552C40-16 16GB

Kingston KF552C40-16 16GB

EVGA 16G-D4-2666-MR 4GB

EVGA 16G-D4-2666-MR 4GB

модули RAM

takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB

takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB

Corsair CM4B8G2J2133A15S 8GB

Corsair CM4B8G2J2133A15S 8GB

модули RAM