RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
Сравнить
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB против Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
-->
Средняя оценка
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Средняя оценка
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
31
Около 16% меньшая задержка
Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
21.4
13.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
16.2
8.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
26
31
Скорость чтения, Гб/сек
13.2
21.4
Скорость записи, Гб/сек
8.4
16.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2070
3809
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB Сравнения RAM
A-DATA Technology DDR3L 1600G 4GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
ADVAN Inc AM42E28UD04T-NVL 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMK8GX4M1D2666C16 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMW8GX4M1Z3200C16 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD2 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-DA---------- 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMK64GX4M2A2666C16 32GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FG 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSEG 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Mushkin 99[2/7/4]189F 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Samsung M391A2K43BB1-CRC 16GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Corsair CMK8GX4M2B4266C19 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZR 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link