RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Сравнить
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
-->
Средняя оценка
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
13.2
12.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
8.4
6.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
26
Около -8% меньшая задержка
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
26
24
Скорость чтения, Гб/сек
13.2
12.7
Скорость записи, Гб/сек
8.4
6.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2070
2256
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB Сравнения RAM
A-DATA Technology DDR3L 1600G 4GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB Сравнения RAM
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston X5H5PW-MIB 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7W0B 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Kingston 9932301-P01.A00G 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston MSI24D4S7D8MB-16 16GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GVK 32GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Kingston XRGM6C-MIB 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMK32GX4M2F4000C19 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Apacer Technology GD2.0927WH.001 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link