RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Сравнить
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
-->
Средняя оценка
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
8.4
6.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
26
Около -13% меньшая задержка
Выше скорость чтения
13.6
13.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
26
23
Скорость чтения, Гб/сек
13.2
13.6
Скорость записи, Гб/сек
8.4
6.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2070
2339
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB Сравнения RAM
A-DATA Technology DDR3L 1600G 4GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N-TF 16GB Сравнения RAM
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRG 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston HP32D4U8S8HC-8X 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVKA 16GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2666C15 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.8FB 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GVK 32GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
SK Hynix HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
Elpida EBE10UE8AFSA-8G-F 1GB
Corsair CM4X8GE2666C16K8 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMR64GX4M8C3000C15 8GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KSRGB15 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link