RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
Сравнить
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB против Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
-->
Средняя оценка
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Средняя оценка
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
64
Около 59% меньшая задержка
Выше скорость записи
8.4
8.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.8
13.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
26
64
Скорость чтения, Гб/сек
13.2
16.8
Скорость записи, Гб/сек
8.4
8.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2070
2052
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB Сравнения RAM
A-DATA Technology DDR3L 1600G 4GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
Samsung M393B1K70CHD-CH9 8GB
Advantech Co Ltd SQR-SD4N8G2K6SNBCB 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Corsair CMD16GX4M4B2400C10 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBR 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GTZR 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Apacer Technology 78.C2GFK.AR20B 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Apacer Technology D22.2221ZA.001 8GB
Samsung M393B5170GB0-CK0 4GB
Corsair CMD64GX4M8A2666C15 8GB
Micron Technology 16JSF51264HZ-1G4D1 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology CB4GU2400.M8E 4GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BZISHC 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TFTD 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link