RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Сравнить
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB против Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
-->
Средняя оценка
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Средняя оценка
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
34
36
Около -6% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.4
14.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.1
8.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
36
34
Скорость чтения, Гб/сек
14.8
16.4
Скорость записи, Гб/сек
8.7
12.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2481
2616
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB Сравнения RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F3-19200CL9-4GBZMD 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2B1 32GB
Kingston 9905403-02X.B00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/4G 4GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Apacer Technology GD2.11173T.001 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CM4B16G2L2666A18K2 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FADP 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4W.M8FE1 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-4400C19A 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBR1 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3000 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston 9965600-005.A01G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link