RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Corsair CMG16GX4M2D3600C18 8GB
Сравнить
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB против Corsair CMG16GX4M2D3600C18 8GB
-->
Средняя оценка
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Средняя оценка
Corsair CMG16GX4M2D3600C18 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
33
Около 15% меньшая задержка
Причины выбрать
Corsair CMG16GX4M2D3600C18 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
20.7
12.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
16.0
7.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Corsair CMG16GX4M2D3600C18 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
33
Скорость чтения, Гб/сек
12.4
20.7
Скорость записи, Гб/сек
7.5
16.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2014
3500
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB Сравнения RAM
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/8G 8GB
Corsair CMW16GX4M2D3000C16 8GB
Corsair CMG16GX4M2D3600C18 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingmax Semiconductor GLJG42F-D8KBFA------ 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Maxsun MSD44G24Q0 4GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Corsair CMG16GX4M2D3600C18 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Corsair CMK4GX4M1D2400C14 4GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FB 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTRS 32GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.C16FE 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link