G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB против G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB

-->

Средняя оценка

G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB

G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB

Средняя оценка

G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB

G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB

Причины выбрать
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

28 31

Около 10% меньшая задержка

G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB

Причины выбрать
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

19.1 12.4

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

13.7 7.5

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

17000 10600

Около 1.6 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB

G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

28 31
Скорость чтения, Гб/сек

12.4 19.1
Скорость записи, Гб/сек

7.5 13.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек

10600 17000

Other

Описание

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота

7-7-7-20 / 1333 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2014 3091

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB

Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB

модули RAM

Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB

Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB

G Skill Intl F4-2133C15-8GRR2 8GB

G Skill Intl F4-2133C15-8GRR2 8GB

модули RAM

SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB

SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213381 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213381 4GB

модули RAM

Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB

Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB

A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BD7S 16GB

A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BD7S 16GB

модули RAM

Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB

Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB

G Skill Intl F4-3000C15-8GTZR 8GB

G Skill Intl F4-3000C15-8GTZR 8GB

модули RAM

A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB

A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB

Maxsun MSD416G26Q3 16GB

Maxsun MSD416G26Q3 16GB

модули RAM

Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB

Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB

Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB

Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB

модули RAM

A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB

A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N

модули RAM

A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB

A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB

Essencore Limited IM44GU48A30-FGGHAB 4GB

Essencore Limited IM44GU48A30-FGGHAB 4GB

модули RAM

A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB

A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB

Transcend Information TS1GSH64V1H 8GB

Transcend Information TS1GSH64V1H 8GB

модули RAM

G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB

G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB

AMD R748G2400U2S-UO 8GB

AMD R748G2400U2S-UO 8GB

модули RAM

A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB

A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB

Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBD 16GB

Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBD 16GB

модули RAM

takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB

takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB

Kingmax Semiconductor GLLF62F-D8---------- 4GB

Kingmax Semiconductor GLLF62F-D8---------- 4GB

модули RAM

A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB

A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB

Kingston 9905665-021.A00G 4GB

Kingston 9905665-021.A00G 4GB

модули RAM