RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
Сравнить
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
-->
Средняя оценка
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
28
Около -4% меньшая задержка
Выше скорость чтения
13.5
12.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.3
7.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
27
Скорость чтения, Гб/сек
12.4
13.5
Скорость записи, Гб/сек
7.5
11.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2014
2430
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB Сравнения RAM
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/8G 8GB
Corsair CMW16GX4M2D3000C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N-UH 8GB Сравнения RAM
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Kingmax Semiconductor FLGG45F-E8K3B 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBD 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZ 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FD 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
A-DATA Technology AO1E34RCTV2-BZWS 32GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FDR1 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
A-DATA Technology AM2P24HC4R1-BUPS 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZR 16GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Corsair CMK32GX4M2B3200C16 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Corsair MK16GX44B3000C15 4GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingmax Semiconductor GLNG43F-18---------- 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213382 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link