RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
A-DATA Technology AO2P32NCST2-BZ7SHD 16GB
Сравнить
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB против A-DATA Technology AO2P32NCST2-BZ7SHD 16GB
-->
Средняя оценка
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Средняя оценка
A-DATA Technology AO2P32NCST2-BZ7SHD 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.4
15
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.9
9.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
A-DATA Technology AO2P32NCST2-BZ7SHD 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
31
Около -11% меньшая задержка
Выше пропускная способность
25600
12800
Около 2 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
A-DATA Technology AO2P32NCST2-BZ7SHD 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
31
28
Скорость чтения, Гб/сек
17.4
15.0
Скорость записи, Гб/сек
10.9
9.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
25600
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 22 24
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2735
2932
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB Сравнения RAM
Corsair CMD32GX3M4A2400C10 8GB
Corsair CMY16GX3M2A2400C10 8GB
A-DATA Technology AO2P32NCST2-BZ7SHD 16GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30CESTK.8FD 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston M378A1K43CB2-CRC 8GB
Kingston 99U5403-468.A00LF 8GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C14 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FE 8GB
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213381 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVR 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Team Group Inc. Team-Elite-2400 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Corsair CMWX8GD3600C18W2D 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FE 32GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBD1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link