G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB против SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB

-->

Средняя оценка

G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB

G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB

Средняя оценка

SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB

SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB

Причины выбрать
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

17.4 10.9

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

10.9 10.0

Среднее значение в тестах

SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB

Причины выбрать
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

30 31

Около -3% меньшая задержка
Выше пропускная способность

17000 12800

Около 1.33 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB

SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

31 30
Скорость чтения, Гб/сек

17.4 10.9
Скорость записи, Гб/сек

10.9 10.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек

12800 17000

Other

Описание

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота

9-9-9-24 / 1600 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2735 2587

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB

Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB

Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB

Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB

модули RAM

Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB

Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

модули RAM

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

Apacer Technology AQD-SD4U4GN24-SG 4GB

Apacer Technology AQD-SD4U4GN24-SG 4GB

модули RAM

Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB

Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB

G Skill Intl F4-3400C16-16GTZ 16GB

G Skill Intl F4-3400C16-16GTZ 16GB

модули RAM

Kingston 9905403-090.A01LF 4GB

Kingston 9905403-090.A01LF 4GB

Avexir Technologies Corporation T 4GB

Avexir Technologies Corporation T 4GB

модули RAM

SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB

SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB

Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB

Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB

модули RAM

SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB

SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB

G Skill Intl F4-4000C18-16GTZN 16GB

G Skill Intl F4-4000C18-16GTZN 16GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240

Kingston KHX2666C16D4/4G 4GB

Kingston KHX2666C16D4/4G 4GB

модули RAM

Mushkin 991988 (996988) 4GB

Mushkin 991988 (996988) 4GB

SK Hynix HMA81GU6MFR8N-UH 8GB

SK Hynix HMA81GU6MFR8N-UH 8GB

модули RAM

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N-TF 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N

модули RAM

Kingston 9965525-155.A00LF 8GB

Kingston 9965525-155.A00LF 8GB

Corsair CMWX8GD3200C16W4 8GB

Corsair CMWX8GD3200C16W4 8GB

модули RAM

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

AMD R744G2400U1S 4GB

AMD R744G2400U1S 4GB

модули RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Kingston 9905625-065.A00G 16GB

Kingston 9905625-065.A00G 16GB

модули RAM

Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB

Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB

Gold Key Technology Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB

Gold Key Technology Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB

модули RAM