G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB против Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB

-->

Средняя оценка

G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB

G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB

Средняя оценка

Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB

Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB

Причины выбрать
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

36 65

Около 45% меньшая задержка
Выше скорость чтения

16.4 15.8

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

10.5 8.5

Среднее значение в тестах

Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB

Причины выбрать
Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB

Сообщить об ошибке

Выше пропускная способность

17000 12800

Около 1.33 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB

Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

36 65
Скорость чтения, Гб/сек

16.4 15.8
Скорость записи, Гб/сек

10.5 8.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек

12800 17000

Other

Описание

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота

9-9-9-24 / 1600 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2618 1932

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Kingston 9965525-155.A00LF 8GB

Kingston 9965525-155.A00LF 8GB

Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB

Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB

модули RAM

Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB

Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB

Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FH1 16GB

Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FH1 16GB

модули RAM

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KCIA------ 8GB

Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KCIA------ 8GB

модули RAM

Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB

Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB

Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB

Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB

модули RAM

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

V-GEN D4S8GL30A8TS5 8GB

V-GEN D4S8GL30A8TS5 8GB

модули RAM

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

INTENSO M418039 8GB

INTENSO M418039 8GB

модули RAM

Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB

Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB

Corsair CMN32GX4M2Z4600C18 16GB

Corsair CMN32GX4M2Z4600C18 16GB

модули RAM

Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB

Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB

G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB

G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB

модули RAM

Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB

Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB

Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FE 16GB

Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FE 16GB

модули RAM

Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB

Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB

Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6B1 8GB

Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6B1 8GB

модули RAM

Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB

Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB

Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C16FG 8GB

Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C16FG 8GB

модули RAM

Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB

Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB

G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSW 8GB

G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSW 8GB

модули RAM

Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB

Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB

Corsair CMK128GX4M4E3200C16 32GB

Corsair CMK128GX4M4E3200C16 32GB

модули RAM

SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB

SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213341 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213341 4GB

модули RAM