RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-17000CL11-4GBXL 4GB
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
Сравнить
G Skill Intl F3-17000CL11-4GBXL 4GB против InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
-->
Средняя оценка
G Skill Intl F3-17000CL11-4GBXL 4GB
Средняя оценка
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
G Skill Intl F3-17000CL11-4GBXL 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
35
Около -59% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.2
16.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.0
10.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
G Skill Intl F3-17000CL11-4GBXL 4GB
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
35
22
Скорость чтения, Гб/сек
16.2
17.2
Скорость записи, Гб/сек
10.7
13.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2644
3007
G Skill Intl F3-17000CL11-4GBXL 4GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBZL 4GB
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F3-17000CL11-4GBXL 4GB
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FF 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Apacer Technology 78.C1GQ5.C7C0B 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWC 8GB
Ramaxel Technology RMN1740HC48D8F667A 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FG 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRG 16GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Corsair CMR16GX4M2C 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Corsair CMD16GX4M4A2666C16 4GB
Kingston 99U5428-049.A00LF 4GB
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston KP6FH5-MIE 32GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Corsair CMK16GX4M1B3000C15 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z2400C16 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMWX8GD3000C16W4D 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link