RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Сравнить
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB против Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
-->
Средняя оценка
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Средняя оценка
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
31
37
Около 16% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.8
16
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
12.6
10.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
31
37
Скорость чтения, Гб/сек
16.8
16.0
Скорость записи, Гб/сек
10.8
12.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2904
2808
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB Сравнения RAM
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Ramaxel Technology RMR1810EC58E8F1333 2GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KGRGB16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZ 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMK8GX4M2B3000C15 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Team Group Inc. 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston 99U5702-101.A00G 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE1 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNT 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link