G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB против Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB

-->

Средняя оценка

G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB

G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB

Средняя оценка

Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB

Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB

Причины выбрать
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

16.4 16.3

Среднее значение в тестах

Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB

Причины выбрать
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость записи

13.9 11.0

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

19200 12800

Около 1.5 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB

Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

36 36
Скорость чтения, Гб/сек

16.4 16.3
Скорость записи, Гб/сек

11.0 13.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек

12800 19200

Other

Описание

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота

9-9-9-24 / 1600 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2729 3044

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB

Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB

Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB

Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB

модули RAM

G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB

G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB

Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB

Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB

модули RAM

Kingston 9905403-061.A00LF 2GB

Kingston 9905403-061.A00LF 2GB

Corsair CMK16GX4M4B3300C16 4GB

Corsair CMK16GX4M4B3300C16 4GB

модули RAM

Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB

Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB

Apacer Technology GD2.11173T.001 4GB

Apacer Technology GD2.11173T.001 4GB

модули RAM

Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB

Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB

Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB

Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB

модули RAM

Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB

Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB

Corsair MK16GX4M2B3200C16 8GB

Corsair MK16GX4M2B3200C16 8GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240

Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB

Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB

модули RAM

Kingston 9905403-156.A00LF 2GB

Kingston 9905403-156.A00LF 2GB

SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB

SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB

модули RAM

AMD R5316G1609U2K 8GB

AMD R5316G1609U2K 8GB

Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF2400 8GB

Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF2400 8GB

модули RAM

Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB

Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB

V-GEN D4H4GS24A8 4GB

V-GEN D4H4GS24A8 4GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB

Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB

Golden Empire CL15-15-15 D4-2666 4GB

Golden Empire CL15-15-15 D4-2666 4GB

модули RAM

G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB

G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N-UH 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N

модули RAM

Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB

Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB

G Skill Intl F4-3200C16-32GVK 32GB

G Skill Intl F4-3200C16-32GVK 32GB

модули RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB

Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB

модули RAM