G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB против Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB

-->

Средняя оценка

G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB

G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB

Средняя оценка

Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB

Причины выбрать
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

16.4 10.3

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

11.0 9.5

Среднее значение в тестах

Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB

Причины выбрать
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

30 36

Около -20% меньшая задержка
Выше пропускная способность

17000 12800

Около 1.33 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

36 30
Скорость чтения, Гб/сек

16.4 10.3
Скорость записи, Гб/сек

11.0 9.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек

12800 17000

Other

Описание

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота

9-9-9-24 / 1600 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2729 1651

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Apacer Technology D12.2356WS.001 8GB

Apacer Technology D12.2356WS.001 8GB

модули RAM

Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB

Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB

Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 8GB 8GB

Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 8GB 8GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C

Corsair CMK16GX4M4B3200C16 4GB

Corsair CMK16GX4M4B3200C16 4GB

модули RAM

Kingston 9905403-156.A00LF 2GB

Kingston 9905403-156.A00LF 2GB

A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB

A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB

модули RAM

G Skill Intl F3-17000CL11-4GBXL 4GB

G Skill Intl F3-17000CL11-4GBXL 4GB

Corsair MK16GX44A2666C16 4GB

Corsair MK16GX44A2666C16 4GB

модули RAM

Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB

Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB

Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FE 4GB

Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FE 4GB

модули RAM

AMD AE34G1601U1 4GB

AMD AE34G1601U1 4GB

Apacer Technology AQD-D4U8GN26-SE 8GB

Apacer Technology AQD-D4U8GN26-SE 8GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

Corsair CMU32GX4M4C3000C16 8GB

Corsair CMU32GX4M4C3000C16 8GB

модули RAM

Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB

Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB

G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSK 16GB

G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSK 16GB

модули RAM

Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB

Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB

Corsair CMK16GX4M2B3600C18 8GB

Corsair CMK16GX4M2B3600C18 8GB

модули RAM

A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB

A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB

Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB

Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB

модули RAM

AMD R5S38G1601U2S 8GB

AMD R5S38G1601U2S 8GB

Crucial Technology CT8G4SFS6266.M4FB 8GB

Crucial Technology CT8G4SFS6266.M4FB 8GB

модули RAM

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRWWK 8GB

V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRWWK 8GB

модули RAM

SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB

SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB

Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB

Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB

модули RAM