RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-2400C10-8GTX 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Сравнить
G Skill Intl F3-2400C10-8GTX 8GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
-->
Средняя оценка
G Skill Intl F3-2400C10-8GTX 8GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
G Skill Intl F3-2400C10-8GTX 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.4
15.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.4
11.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
35
Около -30% меньшая задержка
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
G Skill Intl F3-2400C10-8GTX 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
35
27
Скорость чтения, Гб/сек
16.4
15.6
Скорость записи, Гб/сек
11.4
11.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2960
2687
G Skill Intl F3-2400C10-8GTX 8GB Сравнения RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N-TF 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Corsair CMR16GX4M2C 8GB
Nanya Technology M2S8G64CB8HB5N-DI 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16/16G 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston 9905678-065.A00G 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FAD 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZRC 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMW32GX4M4C3200C16 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Corsair CMD64GX4M8A2400C14 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
AMD R748G2606U2S 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Transcend Information AQD-D4U4GN21-SG 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston 9905625-036.A00G 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link