G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB против Corsair CMSX4GX4M1A2400C16 4GB

-->

Средняя оценка

G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB

G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB

Средняя оценка

Corsair CMSX4GX4M1A2400C16 4GB

Corsair CMSX4GX4M1A2400C16 4GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB

Причины выбрать
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

34 139

Около 76% меньшая задержка
Выше скорость чтения

16.8 14.4

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

11.3 6.9

Среднее значение в тестах

Corsair CMSX4GX4M1A2400C16 4GB

Причины выбрать
Corsair CMSX4GX4M1A2400C16 4GB

Сообщить об ошибке

Выше пропускная способность

19200 10600

Около 1.81 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB

Corsair CMSX4GX4M1A2400C16 4GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

34 139
Скорость чтения, Гб/сек

16.8 14.4
Скорость записи, Гб/сек

11.3 6.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек

10600 19200

Other

Описание

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота

7-7-7-20 / 1333 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2968 1152

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB

G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB

Essencore Limited IM44GU48N28-GGGHM 4GB

Essencore Limited IM44GU48N28-GGGHM 4GB

модули RAM

Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB

Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB

Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB

модули RAM

AMD R948G3206U2S 8GB

AMD R948G3206U2S 8GB

AMD R748G2400S2S 8GB

AMD R748G2400S2S 8GB

модули RAM

takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB

takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB

Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB

Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB

модули RAM

G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB

G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB

Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB

Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB

модули RAM

takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB

takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB

Crucial Technology BLE16G4D32AEEA.K16FB 16GB

Crucial Technology BLE16G4D32AEEA.K16FB 16GB

модули RAM

SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB

SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB

Corsair CM4X16GC3000C15D4 16GB

Corsair CM4X16GC3000C15D4 16GB

модули RAM

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB

Corsair CMW16GX4M2D3600C18 8GB

Corsair CMW16GX4M2D3600C18 8GB

модули RAM

Avant Technology F6451U64F9333G 4GB

Avant Technology F6451U64F9333G 4GB

G Skill Intl F4-4000C15-8GTZR 8GB

G Skill Intl F4-4000C15-8GTZR 8GB

модули RAM

Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB

Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB

SK Hynix HMT125S6TFR8C-H9 2GB

SK Hynix HMT125S6TFR8C-H9 2GB

модули RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Kingmax Semiconductor GLLG42F-18---------- 8GB

Kingmax Semiconductor GLLG42F-18---------- 8GB

модули RAM

Kingston 9965433-034.A00LF 4GB

Kingston 9965433-034.A00LF 4GB

Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB

Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB

модули RAM

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N-UH 32GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N

модули RAM

Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB

Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB

Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB

Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB

модули RAM