RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Сравнить
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB против OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
-->
Средняя оценка
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Средняя оценка
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
34
Около -26% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.4
16.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.5
11.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
10600
Около 2.42 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
34
27
Скорость чтения, Гб/сек
16.8
17.4
Скорость записи, Гб/сек
11.3
14.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
25600
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2968
3692
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GXM 8GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G26662 8GB
Mushkin 991586 2GB
Corsair CMWX8GD3200C16W4 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Maxsun MSD416G26Q3 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.M16FB 32GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMT16GX4M2C3466C16 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FB 8GB
Kingston KHX2666C16D4/16GX 16GB
Kingston KF2666C16D4/16G 16GB
Kingston KHX1600C10D3/8GXF 8GB
Kingston 9905678-105.A00G 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMSO16GX4M1A2133C15 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZRA 16GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Corsair CMSX8GX4M1A2400C16 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRS 8GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FDD2 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link