RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
Сравнить
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB против Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
-->
Средняя оценка
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Средняя оценка
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
21
27
Около 22% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.4
16.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.2
12.0
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
23400
10600
Около 2.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
21
27
Скорость чтения, Гб/сек
17.4
16.5
Скорость записи, Гб/сек
12.2
12.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
23400
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
3130
3245
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB Сравнения RAM
Corsair CMY32GX3M4B2666C11 8GB
Kingston 9905734-102.A00G 32GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR 4GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSK 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C16 Series 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8ET 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.M4FE 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Apacer Technology 78.CAGNK.4040B 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002 32GB
SK Hynix HMT41GU6AFR8C-PB 8GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GVK 16GB
Kingston 9965525-010.A00LF 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CTCT 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link