RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Сравнить
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB
-->
Средняя оценка
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
21
45
Около 53% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.4
6.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.2
6.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
21
45
Скорость чтения, Гб/сек
17.4
6.9
Скорость записи, Гб/сек
12.2
6.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, TBD2 V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
3130
1499
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB Сравнения RAM
Corsair CMY32GX3M4B2666C11 8GB
Kingston 9905734-102.A00G 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB Сравнения RAM
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3300C16 4GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M16FE 16GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3600 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FE 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
EVGA 8GX-D4-3200-MR 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZSW 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FB 32GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16 4GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Corsair CMV4GX4M1A2666C18 4GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR2 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link