RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
Сравнить
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
-->
Средняя оценка
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
24
18.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
20.0
13.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
29
Около -12% меньшая задержка
Выше пропускная способность
21300
17000
Около 1.25 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
26
Скорость чтения, Гб/сек
24.0
18.1
Скорость записи, Гб/сек
20.0
13.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
17000
21300
Other
Описание
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
4156
3061
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-VK 8GB Сравнения RAM
Corsair VS1GB800D2 1GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CMU16GX4M2C3200C16 8GB
Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB
Corsair CMR64GX4M4K3600C18 16GB
Kingston 9965433-406.A00LF 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Asgard VMA41UH-MEC1U2AW1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9965604-008.D00G 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMWX8GD3200C16W4 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVRB 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMU32GX4M2A2666C16 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link