G Skill Intl F4-4000C17-8GTZR 8GB против G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB

-->

Средняя оценка

G Skill Intl F4-4000C17-8GTZR 8GB

G Skill Intl F4-4000C17-8GTZR 8GB

Средняя оценка

G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB

G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

G Skill Intl F4-4000C17-8GTZR 8GB

Причины выбрать
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZR 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

24 28

Около 14% меньшая задержка
Выше скорость чтения

20.2 18.2

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

18.4 14.6

Среднее значение в тестах

G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB

Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB

Сообщить об ошибке

Спецификации

Полный список технических характеристик

G Skill Intl F4-4000C17-8GTZR 8GB

G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR4 DDR4
Задержка в PassMark, нс

24 28
Скорость чтения, Гб/сек

20.2 18.2
Скорость записи, Гб/сек

18.4 14.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек

17000 17000

Other

Описание

PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота

14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

4114 3546

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB

Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB

Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB

Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB

модули RAM

Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB

Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB

Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB

Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB

модули RAM

Kingston KP223C-ELD 2GB

Kingston KP223C-ELD 2GB

SK Hynix GKE160UD102408-2400 16GB

SK Hynix GKE160UD102408-2400 16GB

модули RAM

Nanya Technology NT4GC64C88B1NS-DI 4GB

Nanya Technology NT4GC64C88B1NS-DI 4GB

Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB

Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB

модули RAM

AMD AE34G2139U2 4GB

AMD AE34G2139U2 4GB

Kllisre 0000 8GB

Kllisre 0000 8GB

модули RAM

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB

Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB

модули RAM

Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB

Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB

V-GEN D4R8GL24A8R 8GB

V-GEN D4R8GL24A8R 8GB

модули RAM

A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB

A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB

V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB

V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB

модули RAM

G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB

G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB

A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB

A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB

модули RAM

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB

G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB

модули RAM

SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB

SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB

SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB

SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB

модули RAM

Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB

Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB

Crucial Technology BL8G32C16S4B.8FE 8GB

Crucial Technology BL8G32C16S4B.8FE 8GB

модули RAM

A-DATA Technology DQVE1908 512MB

A-DATA Technology DQVE1908 512MB

Kingston XN205T-MIE2 16GB

Kingston XN205T-MIE2 16GB

модули RAM

A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB

A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB

Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G3A2 8GB

Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G3A2 8GB

модули RAM