RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Сравнить
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
-->
Средняя оценка
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
34
Около 24% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.8
11.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.7
9.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR5
DDR4
Задержка в PassMark, нс
26
34
Скорость чтения, Гб/сек
17.8
11.1
Скорость записи, Гб/сек
15.7
9.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC5-19200, 1.1V, CAS Supported: 22 28 30 32 36 40 42
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
no data / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
3867
2319
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
Kingston 9905783-025.A01G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB Сравнения RAM
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2BQ2 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB
Kingston 9965516-049.A00LF 8GB
Crucial Technology BL8G36C16U4BL.M8FE1 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMK4GX4M1A2400C14 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Corsair CMK192GX4M12P3200C16 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston KMKYF9-MID 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMK32GX4M4E4133C19 8GB
A-DATA Technology AM1U16BC4P2-B19H 4GB
Kingston HX316C10F/4 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FHP 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
ADVAN Inc AM42E28UD04T-NVL 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link