Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB против A-DATA Technology AO1P29KC8T1-BY9SSB 8GB

-->

Средняя оценка

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB

Средняя оценка

A-DATA Technology AO1P29KC8T1-BY9SSB 8GB

A-DATA Technology AO1P29KC8T1-BY9SSB 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB

Причины выбрать
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

4 18.4

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

2,066.5 14.9

Среднее значение в тестах

A-DATA Technology AO1P29KC8T1-BY9SSB 8GB

Причины выбрать
A-DATA Technology AO1P29KC8T1-BY9SSB 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

27 49

Около -81% меньшая задержка
Выше пропускная способность

21300 6400

Около 3.33 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB

A-DATA Technology AO1P29KC8T1-BY9SSB 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

49 27
Скорость чтения, Гб/сек

4,577.1 18.4
Скорость записи, Гб/сек

2,066.5 14.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек

6400 21300

Other

Описание

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота

5-5-5-15 / 800 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

737 3008

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB

Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB

Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FB 16GB

Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FB 16GB

модули RAM

Kingston 9965433-034.A00LF 4GB

Kingston 9965433-034.A00LF 4GB

Kingston KHX2400C12D4/4GX 4GB

Kingston KHX2400C12D4/4GX 4GB

модули RAM

SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB

SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB

Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB

Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB

модули RAM

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

G Skill Intl F4-3000C14-8GTZR 8GB

G Skill Intl F4-3000C14-8GTZR 8GB

модули RAM

SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB

SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB

G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSW 8GB

G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSW 8GB

модули RAM

Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB

Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB

Kingston KTP9W1-MIE 16GB

Kingston KTP9W1-MIE 16GB

модули RAM

A-DATA Technology DQKD1A08 1GB

A-DATA Technology DQKD1A08 1GB

Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB

Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB

модули RAM

Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB

Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB

Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FF 4GB

Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FF 4GB

модули RAM

Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB

Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB

Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB

Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB

модули RAM

Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB

Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB

Corsair CMK8GX4M2A2400C14 4GB

Corsair CMK8GX4M2A2400C14 4GB

модули RAM

Kingston KVR533D2N4 512MB

Kingston KVR533D2N4 512MB

Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C16 Series 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C16 Series 8GB

модули RAM

PNY Electronics PNY 2GB

PNY Electronics PNY 2GB

Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KCGA------ 16GB

Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KCGA------ 16GB

модули RAM

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FE 16GB

Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FE 16GB

модули RAM

SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB

SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB

Corsair CMD16GX4M4B3000C14 4GB

Corsair CMD16GX4M4B3000C14 4GB

модули RAM