RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M8FB1 16GB
Сравнить
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB против Crucial Technology BL16G32C16S4B.M8FB1 16GB
-->
Средняя оценка
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Средняя оценка
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M8FB1 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
17.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,066.5
14.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M8FB1 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
49
Около -69% меньшая задержка
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M8FB1 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
49
29
Скорость чтения, Гб/сек
4,577.1
17.2
Скорость записи, Гб/сек
2,066.5
14.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
737
3461
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Сравнения RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M8FB1 16GB Сравнения RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMR64GX4M4C3466C16 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M8FB1 16GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Corsair CMD16GX4M2B3600C18 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CM4X8GD3000C15K4 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Wilk Elektronik S.A. GX3236D464S/8GSBS1 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KHX2666C16/16G 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMW32GX4M4C3000C15 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS6266.M4FB 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GRS 16GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Kingston 9905624-018.A00G 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
A-DATA Technology AM1U16BC4P2-B19H 4GB
Kingston 99U5702-089.A00G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link