Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB против Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M8FB1 16GB

-->

Средняя оценка

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB

Средняя оценка

Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M8FB1 16GB

Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M8FB1 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB

Причины выбрать
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

4 16.9

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

2,066.5 13.2

Среднее значение в тестах

Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M8FB1 16GB

Причины выбрать
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M8FB1 16GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

30 49

Около -63% меньшая задержка
Выше пропускная способность

21300 6400

Около 3.33 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB

Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M8FB1 16GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

49 30
Скорость чтения, Гб/сек

4,577.1 16.9
Скорость записи, Гб/сек

2,066.5 13.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек

6400 21300

Other

Описание

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота

5-5-5-15 / 800 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

737 3462

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

Kingmax Semiconductor GLLF62F-D8---------- 4GB

Kingmax Semiconductor GLLF62F-D8---------- 4GB

модули RAM

Golden Empire CL5-5-5DDR2 1GB

Golden Empire CL5-5-5DDR2 1GB

Kingston 9965600-011.A01G 16GB

Kingston 9965600-011.A01G 16GB

модули RAM

Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB

Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB

Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KFGA------ 8GB

Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KFGA------ 8GB

модули RAM

Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB

Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB

Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E84-3000D 8GB

Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E84-3000D 8GB

модули RAM

Kingston ACR32D4S2S1ME-8 8GB

Kingston ACR32D4S2S1ME-8 8GB

Corsair CMK16GX4M2B3000C15 8GB

Corsair CMK16GX4M2B3000C15 8GB

модули RAM

Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB

Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB

Kingston 9965596-023.B01G 8GB

Kingston 9965596-023.B01G 8GB

модули RAM

SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB

SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB

G Skill Intl F4-2800C15-8GRBB 8GB

G Skill Intl F4-2800C15-8GRBB 8GB

модули RAM

G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB

G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB

Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FBD 16GB

Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FBD 16GB

модули RAM

Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB

Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB

Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB

Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB

модули RAM

Kingston 9905403-011.A03LF 2GB

Kingston 9905403-011.A03LF 2GB

Kingston HP24D4U7S8MD-8 8GB

Kingston HP24D4U7S8MD-8 8GB

модули RAM

Kingston KVR533D2N4 512MB

Kingston KVR533D2N4 512MB

Crucial Technology BL8G36C16U4RL.M8FE1 8GB

Crucial Technology BL8G36C16U4RL.M8FE1 8GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C

A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB

A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB

модули RAM

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB

Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C8FP 8GB

Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C8FP 8GB

модули RAM

A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB

A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB

Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FD 8GB

Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FD 8GB

модули RAM